金明玉さん（岡田研究室 D2）が「ISCSI-IX」においてYoung Researcher Awardを受賞

2022年9月、岡田研究室 博士後期課程2年（工学系研究科先端学際工学専攻）に在籍中の金明玉（Kim Myeongok）さんが「9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces」においてYoung Researcher Awardを受賞しました。本賞は優秀な研究発表を行った若手研究者に対して贈られる賞です。

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  金明玉さんと岡田至崇教授

• 【発表タイトル】
  Myeongok Kim, Nazmul Ahsan, Chen Chen, Dorota A. Kowalczyk, Nicholas Trainor, Joan M. Redwing, and Yoshitaka Okada, "Effect of Off-angle on the Epitaxial Growth of MoS₂ on Off-angle Sapphire by Metal-organic Chemical Vapor Deposition"

  【受賞した研究について】
  グラフェンのようにフレキシブルでありながら、バンドギャップを持つ遷移金属ジカルコゲナイド層状物質（TMDC）は、次世代エレクトロニクスへの応用が期待されています。デバイス応用には大面積成長技術が欠かせなく、特に成長時のドメインの単一化が大きな課題です。
  今回の研究では、基板のオフ角と方位を変えることで、metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD）成長法でMoS₂ のドメインを揃えることを試みました。その結果、オフ角が{11-20}A面方向の{0001}c面サファイア基板を用いることで、30°回転と縦方向成長が抑制され、結晶性の高い単一ドメインの面内成長が可能になりました。

  【受賞のコメント】
  今回は二次元層状物質研究の専門家であるペンシルベニア州立大学のRedwing教授のもとでTMDCのエピタキシャル成長の研究をすることができました。このような機会をくださり、いつもきめ細かな研究指導をしてくださった岡田先生とRedwing先生に感謝申し上げます。今後もTMDC材料のエピタキシャル成長メカニズムに関し、博士論文研究を続けていきたいと思います。

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